banner
Дом / Блог / Сверхбыстрые псевдоспиновые квантовые биения в многослойных WSe2 и MoSe2
Блог

Сверхбыстрые псевдоспиновые квантовые биения в многослойных WSe2 и MoSe2

Oct 17, 2023Oct 17, 2023

Nature Communications, том 13, номер статьи: 4997 (2022) Цитировать эту статью

3779 Доступов

4 цитаты

25 Альтметрика

Подробности о метриках

Слоистые материалы Ван-дер-Ваальса с гексагональной симметрией предоставляют дополнительную степень свободы своим электронам, так называемый индекс долины или псевдоспин долины, который концептуально ведет себя как спин электрона. Здесь мы представляем исследования экситонных переходов в моно- и многослойных материалах WSe2 и MoSe2 с помощью времяразрешенной эллиптичности Фарадея (TRFE) с магнитными полями в плоскости B∥ до 9 Тл. В монослойных образцах измеренное время TRFE следы почти не зависят от B∥, что подтверждает близкий к нулю g-фактор экситонов в плоскости g∥, что согласуется с расчетами из первых принципов. Напротив, в многослойных образцах мы наблюдаем выраженные временные колебания при B∥ > 0. Наши расчеты из первых принципов подтверждают наличие ненулевого значения g∥ для многослойных образцов. Мы предполагаем, что колебательный сигнал TRFE в многослойных образцах обусловлен псевдоспиновыми квантовыми биениями экситонов, что является проявлением блокировки спин- и псевдоспиновых слоев в многослойных образцах.

Полупроводниковые дихалькогениды переходных металлов (TMDC) имеют большие перспективы для оптоэлектронных приложений, поскольку они образуют полупроводники с прямой запрещенной зоной в пределе монослоя. Их оптические свойства определяются экситонами, т.е. кулоновскими электронно-дырочными парами1,2, даже при комнатной температуре из-за чрезвычайно больших энергий связи экситонов. Для высококачественных инкапсулированных монослоев MoSe2 было продемонстрировано превосходное оптическое качество с шириной экситонной линии, приближающейся к пределу срока службы3,4. Кроме того, аномальное, неклассическое диффузионное поведение экситонов было обнаружено5,6 и рассчитано7 для монослоев TMDC. Начиная с бислоев, запрещенная зона становится непрямой. Тем не менее, при переходе от однослоя к многослойным прямые межзонные переходы в К-точках зоны Бриллюэна по-прежнему доминируют над оптическим поглощением8. Еще одним свойством монослойного материала является сильная спин-орбитальная связь в сочетании с инверсионной асимметрией, которая приводит к большим спин-орбитальным расщеплениям краев зон, селективным по долинам, что приводит к так называемой блокировке спин-долины. Эта особенность оценена введением псевдоспинового индекса, который концептуально ведет себя как спин электрона и связан с заполнением двух неэквивалентных долин K+ и K− первой зоны Бриллюэна. Интересно, что блокировка спиновой долины одного слоя трансформируется в блокировку спинового или псевдоспинового слоя для мультислоев9. Для бислоев TMDC даже было высказано предположение, что блокировку спинового слоя можно использовать для создания спиновых квантовых вентилей10.

Межслоевые экситоны (IX), где электрон и дырка находятся в соседних слоях, впервые были обнаружены в гетеробислоях11. Там характеристики IX решающим образом зависят от комбинации материалов12,13,14. Недавно были продемонстрированы даже долинно-поляризованные токи IX в гетеробислоях15. В то время как в гетеробислоях сила осциллятора IX слаба, ситуация может быть иной для гомобислоев или мультислоев16. В бислоях MoS2 сообщалось о сильном поглощении IX вплоть до комнатной температуры17,18,19,20,21,22. В MoSe2 ситуация аналогична MoS2, хотя сила осциллятора IX меньше23. Тем не менее, IX наблюдался в многослойных слоях MoTe224 и MoSe223,25 с H-слойной структурой. В отличие от мультислоев на основе Mo, в материалах на основе W до сих пор не наблюдалось импульсно-пространственное прямое IX. Следует отметить, что для гомобислоев WSe2 наблюдались IX из-за непрямых по импульсу переходов ниже оптической запрещенной зоны26,27.

В то время как монослойные ТМДП достаточно интенсивно исследуются во внеплоскостных магнитных полях, исследования многослойных образцов довольно редки. Внеплоскостной g-фактор g⊥ внутрислоевых экситонов A в мультислоях MoSe2 и WSe2 меньше по величине, чем в одиночных слоях25,28. Однако до сих пор отсутствуют экспериментальные исследования плоскостного g-фактора g∥ в многослойных слоях TMDC. Плоскостные магнитные поля B∥ применялись к монослоям TMDC для осветления темных экситонных состояний посредством смешивания спиновых уровней плоскостным полем29,30,31,32. В этой работе мы представляем эксперименты по эллиптичности Фарадея (TRFE) с временным разрешением на моно- и мультислоях WSe2 и MoSe2 в плоских магнитных полях. Хотя существенного влияния плоскостных полей до 9 Тл в экспериментах на монослоях мы не наблюдаем, во временных трассах TRFE мультислоев наблюдаются выраженные временные колебания при B∥ > 0. Примечательно, что полученный плоскостной экситон g коэффициенты ∣g∥∣ близки к зарегистрированным значениям ∣g⊥∣ для тех же материалов25.

 0 with an exponentially-damped cosine function \(S(\nu,{\tau }_{v})\propto \exp (-{{\Delta }}t/{\tau }_{v})\cos (2\pi \nu \Delta t)\) for delay times Δt well above the fast initial decay of the TRFE signals, as exemplarily shown by the red solid line in Fig. 2c for the 9 T trace. An important result is that the oscillations with frequency ν at B∥ > 0 decay with approximately the same decay time τv as the excitonic signal at B∥ = 0, and no long-lived oscillatory signal is developed. From that we conclude that the oscillations stem from a Larmor precession of the exciton magnetic moment, and not from the spin of background charge carriers, as observed for localized electrons in MoS2 and WS2 monolayers44. Furthermore, the approximate independence of the decay time τv from B∥ shows that g factor fluctuations do not play a role. Otherwise, a 1/B∥ dependence of τv would be expected45,46. Figure 3a shows a summary of all oscillation frequencies ν, extracted by this procedure, versus B∥. Clearly, a linear, Zeeman-like dependence can be recognized. The determined ∣g∥∣ are given in the legend of Fig. 3a. The experimental error margins for these values are about ±0.2. It should be noted that with TRFE experiments we can only determine the magnitude of the g factor but not its sign. Very remarkably, for all excitonic resonances, the determined ∣g∥∣ are very close to out-of-plane g factors, ∣g⊥∣, of the corresponding materials, reorted in refs. 25, 28, which are for WSe2 bulk material ∣g⊥∣ = 3.2 ± 0.2 and 3.3 ± 0.6 for the A1s and A2s intralayer excitons, respectively25. For MoSe2 bulk, the reported value for A1s is ∣g⊥∣ = 2.7 ± 0.125. Hence, we conclude that ∣g∥∣ ~ ∣g⊥∣ for multilayer TMDCs, approaching the bulk limit./p> 0 in a multilayer. For the excitons, the z component of the spin of the electron is symbolized by a small arrow with a single line, while the hole spin is indicated by an arrow with a double line. Energy splittings of the excitons due to finite g∥ are taken into account. The red double arrows should symbolize the coherent momentum-allowed oscillation between adjacent layers. c Representation of the pseudospin rotation on a Bloch sphere. The north pole corresponds to τ = +1, while the south pole represents the τ = −1 state. The orange arrow would correspond to a system, excited with linearly-polarized light./p>